2018年10月11日更新
間中孝彰 東京工業大学 特許

【東京工業大学教授】間中孝彰の数々の文献・取得特許まとめ

東京工業大学の教授である間中孝彰氏の著書や特許などをまとめて紹介いたします。

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間中孝彰氏とは?

東京工業大学工学院教授
研究キーワードは電子物性一般
研究分野は電子・電気材料工学
科研費研究者番号20323800
所属学会 電子学会、応用物理学会
学歴
東京工業大学 理工学研究科 有機材料工学専攻 博士 修了(2000)
東京工業大学 工学部 有機材料工学科 卒業(1997)

職歴
日本学術振興会 特別研究員(1997-1999)
東京工業大学 理工学研究科 助手(2000-)

受賞
電気学会優秀論文発表賞受賞(2002)

間中孝彰氏の論文・MISC(一部)

タイトル:光第2次高調波発生法による積層有機EL素子の界面電荷蓄積時間の評価
著者:田口 大、長田憲司朗、マーティン・ワイス、間中孝彰、岩本光正
資料名:電子情報通信学会技術研究報告
発行年:2009年
タイトル:Probing of carrier behavior in organic electroluminescent diode using electric field induced optical second-harmonic generation measurement
著者:Dai Taguchi, Martin Weis, Takaaki Manaka, Mitsumas・・・
資料名:Applied Physics Letters
発行年:2009年

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間中孝彰氏の書籍

Polyimides and Other High Temperature Polymers; Polyimide as a tunneling barrier in single-electron tunneling junctions
VSP 2005年

MDC-SHG spectroscopy of organic monolayer film in Nanotechnology and Nano-Interface Controlled Electronic Devices, Chepter 17.
Elsevier Science 2003年

間中孝彰氏の講演発表(一部)

Effect of Carrier Trap on the Electron Transport in Pentacene FET Observed by the Time-resolved Microscopic SHG Measurement

(2010)

Carrier and electric field distribution in organic FET studied by the microscopic SHG and Raman imaging

(2010)

キラルなポリジアセチレン薄膜を用いた発光現象の検討

(2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会 2010)

ペンタセン薄膜の光電流と光起電力効果

(2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 2010)

電場変調吸収法およびEFI-SHG法によるITO/a-NPD/Alq3/Al素子内の 電界分布評価

(2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 2010)
引用元:jglobal.jst.go.jp(引用元へはこちらから)

間中孝彰氏のその他の文献・特許等(一部)

出典:www.irasutoya.com/2013/09/blog-post_6591.html
<文献>
・電界誘起光第2次高調波発生法によるトライボ発電層(カプトン型ポリイミド)の摩擦電気の可視化(2018.3.5)
著者:田口大、間中孝彰、岩本光正、佐久間和子、渡口要・・・

・電界誘起光第2次高調波発生法による2層積層膜型有機感光体試料の内部電界の選択的測定(2018.3.6)
著者:土屋春樹、田口大、間中孝彰

・DA型共重合体配向膜における光学・電気的異方性の相関評価(2018.3.5)
著者:松尾魁士、田口大、間中孝彰

・時間分解光第二次高調波発生法を用いた有機ドナー/アクセプタ界面における励起子およびキャリアダイナミクス評価(2018.3.5)
著者:野間大史、田口大、間中孝彰、岩本光正

・電界誘起光第2次高調波発生法による錫ペロブスカイト太陽電池の内部電界評価(2018.3.5)
<特許>

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ヘテロ接合電界効果トランジスタ現象を観察する方法及び装置

出願人/特許権者:株式会社豊田中央研究所
発明者:勝野 高志、石川 剛、上田 博之、上杉 勉、間中 孝彰・・・
公報種別:公開公報 出願番号:特願2014-109220 出願日:2014年05月27日
概要(請求項1):【課題】ヘテロ接合電界効果トランジスタで生じる電流コラプスよって発現する電界領域の位置を短時間で特定可能な技術の開発が望まれている。【解決手段】ヘテロ接合電界効果トランジスタ1で生じる電流コラプス現象・・・
引用元:jglobal.jst.go.jp(引用元へはこちらから)
電界分布又はキャリア分布を高次高調波の強度に基づいて検出する検出装置及びその検出方法

出願人/特許権者:国立大学法人東京工業大学
発明者:岩本 光正、間中 孝彰
公報種別:特許公報 出願番号:特願2007-058219 出願日:2007年03月08日
概要(請求項1):【請求項1】 観察対象物の観察対象層の同一面上に離間して設けられた2つの電極の間の前記観察対象層に設けられた複数の測定領域における電界分布又はキャリア分布を高次高調波の強度に基づいて検出する検出装置・・・
引用元:jglobal.jst.go.jp(引用元へはこちらから)
有機半導体電界効果トランジスタの評価装置及び特性測定方法。

出願人/特許権者:国立大学法人東京工業大学
発明者:岩本 光正、間中 孝彰
公報種別:特許公報 出願番号:特願2005-256713 出願日:2005年09月05日
概要(請求項1):【請求項1】 有機半導体電界効果トランジスタのゲートと、ソース−ドレイン間とに、電圧を印加し、 前記電圧が印加された状態の有機半導体電界効果トランジスタにおいて、前記ソースと前記ドレインの間に位・・・
引用元:jglobal.jst.go.jp(引用元へはこちらから)

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